تفاصيل المنتج
مكان المنشأ: قوانغتشو، الصين
اسم العلامة التجارية: PUNAISGD/CABLEPULS
إصدار الشهادات: ISO/CE/ROSH
رقم الموديل: جيكستو-8ب1.3
وثيقة: كتيب المنتج PDF
شروط الدفع والشحن
الحد الأدنى لكمية: 2 كم
الأسعار: negotiate
تفاصيل التغليف: بكرة خشبية/طبلة
وقت التسليم: 5-25 يومًا
شروط الدفع: 30% TT كوديعة، 70% الرصيد قبل الشحن.
القدرة على العرض: 100 كيلومتر
رقم النموذج: |
GYXTW-8/12B1.3 |
الاستخدام: |
الجوي/النفقات العامة |
مادة أنبوب فضفاض: |
PBT مع جيلي |
قطر الكابل: |
8 ملم |
العينات: |
مجاناً |
درجة الألياف: |
G652D |
المواد المائي: |
شريط مانع للمياه أو مجمع التعبئة |
أسلاك الفولاذ: |
1.0*2MM |
لون الكابل: |
أسود |
رقم النموذج: |
GYXTW-8/12B1.3 |
الاستخدام: |
الجوي/النفقات العامة |
مادة أنبوب فضفاض: |
PBT مع جيلي |
قطر الكابل: |
8 ملم |
العينات: |
مجاناً |
درجة الألياف: |
G652D |
المواد المائي: |
شريط مانع للمياه أو مجمع التعبئة |
أسلاك الفولاذ: |
1.0*2MM |
لون الكابل: |
أسود |
| السمة | القيمة |
|---|---|
| رقم الموديل | GYXTW-8/12B1.3 |
| الاستخدام | هوائي/علوي |
| مادة الأنبوب الفضفاض | PBT مع هلام |
| قطر الكابل | 8 مم |
| عينات | مجانية |
| درجة الألياف | G652D |
| مادة منع الماء | شريط منع الماء أو مركب التعبئة |
| سلك فولاذي | 1.0*2 مم |
| لون الكابل | أسود |
| نوع الكابل | كابل الألياف الضوئية ذو الأنبوب الفضفاض المركزي GYXTW |
| نوع الألياف | SM G.652D |
| التطبيق | اتصالات المسافات الطويلة، شبكة محلية (LAN) |
| طرق التركيب الموصى بها | هوائي |
| البيئة | خارجي |
| نطاق درجة الحرارة | -40 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية |
| عدد الألياف | هيكل | الألياف لكل أنبوب | قطر الأنبوب الفضفاض (مم) | قطر CSM/قطر الوسادة (مم) | السُمك الاسمي للغلاف الخارجي (مم) | قطر الكابل/الارتفاع (مم) | وزن الكابل (كجم/كم) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2 | 1 | 2 | 1.7±0.1 | 1.0/1.0 | 1.6 | 8.0±0.2 | 57 |
| 4 | 1 | 4 | 1.85±0.1 | 1.0/1.0 | 1.6 | 8.0±0.2 | 58 |
| 6 | 1 | 6 | 1.9±0.1 | 1.0/1.0 | 1.6 | 8.0±0.2 | 58 |
| 8 | 1 | 8 | 2.0±0.1 | 1.0/1.0 | 1.6 | 8.0±0.2 | 60 |
| 12 | 1 | 12 | 2.2±0.1 | 1.0/1.0 | 1.6 | 8.0±0.2 | 60 |
| رقم. | العناصر | الوحدة | المواصفات |
|---|---|---|---|
| 1 | قطر المجال النمطي (1310 نانومتر) | μm | 9.2±0.4 |
| 1 | قطر المجال النمطي (1550 نانومتر) | μm | 10.4±0.8 |
| 2 | قطر الغلاف | μm | 125.0±1.0 |
| 3 | عدم دائرية الغلاف | % | ≤1.0 |
| 4 | خطأ تمركز اللب والغلاف | μm | ≤0.5 |
| 5 | قطر الطلاء | μm | 245±5 |
| 6 | عدم دائرية الطلاء | % | ≤6.0 |
| 7 | خطأ تمركز الغلاف والطلاء | μm | ≤12.0 |
| 8 | طول موجة القطع للكابل | نانومتر | λcc≤1260 |
| 9 | التوهين (الحد الأقصى) (1310 نانومتر) | ديسيبل/كم | ≤0.35 |
| 9 | التوهين (الحد الأقصى) (1550 نانومتر) | ديسيبل/كم | ≤0.21 |
| 9 | التوهين (الحد الأقصى) (1380 نانومتر) | ديسيبل/كم | ≤0.35 |
| 9 | التوهين (الحد الأقصى) (1625 نانومتر) | ديسيبل/كم | ≤0.24 |
اسم كابل الألياف للشركة N*cores G.652D 2024 XXXXm
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
